晶合集成申请寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器专利，节省制造成本_电子百科

晶合集成申请寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器专利，节省制造成本

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2026-03-06 21:18:30

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器”的专利，公开号CN121619876A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请涉及一种寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器，包括提供设置有浅沟槽隔离结构的半导体基底；基于预设掩模版，于浅沟槽隔离结构远离半导体基底的一侧形成刻蚀减速结构和栅极结构；于刻蚀减速结构远离浅沟槽隔离结构的一侧依次形成绝缘层和布线层结构，布线层结构包括第一电容电极板；自半导体基底远离浅沟槽隔离结构的一侧形成第一开口以及第二开口；第一开口与刻蚀减速结构位置对应，且第一开口延伸至绝缘层，第二开口延伸至布线层结构；于第一开口内以及第二开口内填充导电材料，以在第一开口内形成第二电容电极板，且在第二开口内形成焊盘结构。本申请可依据已有掩膜版制备MIM电容，无需为MIM电容设计和制造专门的掩膜版，节省了制造成本。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1669条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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