华力申请半导体图形结构的刻蚀方法专利，精确控制各半导体图形结构的关键尺寸
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2026-03-07 09:51:19
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体图形结构的刻蚀方法”的专利，公开号CN121620107A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体图形结构的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底至少具有两种半导体材料区，各种半导体材料区中的半导体材料不同。定义出半导体图形结构的形成区域。采用原子层刻蚀对各半导体图形结构的形成区域中的半导体材料进行刻蚀形成各种半导体材料对应的半导体图形结构，原子层刻蚀按照原子层对各种半导体材料进行逐层刻蚀，以实现对各种半导体材料对应的半导体图形结构的关键尺寸进行精确控制并消除不同的半导体材料所带来的负载效应。本发明能在同时刻蚀形成多种不同半导体材料的半导体图形结构的条件下，精确控制各半导体图形结构的关键尺寸以及消除半导体材料不同所带来的负载效应。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2763条，此外企业还拥有行政许可397个。
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来源：市场资讯
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