杭州微纳核芯申请DRAM存储器及端侧设备专利，提高了存储密度
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2025-05-27 15:05:18
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，杭州微纳核芯电子科技有限公司申请一项名为“DRAM存储器及端侧设备”的专利，公开号CN120045480A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供了一种DRAM存储器及端侧设备，DRAM存储器包括：多个存储器块，用于存储数据；多个存储器块控制器，对应于所述多个存储器块设置，每一存储器块控制器能够控制对应的所述存储器块写入或读取数据；ONFI接口控制器，与所述多个存储器块控制器分别相连接，能够向所述多个存储器块控制器发送指令以控制所述多个存储器块的运行；以及IO接口，与所述ONFI接口控制器相连接，并被配置为用于与主控制电路相连接，接收所述主控制电路的控制信号并发送至ONFI接口控制器。本发明通过利用ONFI协议控制DRAM存储器，并结合三维封装、CE Reduction机制等技术，在降低成本、功耗和芯片面积的同时，提高了存储密度、数据访问效率和系统灵活性，满足了多样化的应用需求。
天眼查资料显示，杭州微纳核芯电子科技有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本146.1531万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州微纳核芯电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息62条。
来源：金融界
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