半导体元件工业申请具有掺杂隔离结构的图像传感器专利，消除或减少半导体衬底的点蚀
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2026-03-11 15:15:39
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“具有掺杂隔离结构的图像传感器”的专利，公开号CN121646025A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开涉及具有掺杂隔离结构的图像传感器。一种图像传感器设备可包括半导体衬底、衬底中的第一图像传感器像素和第二图像传感器像素，以及处于第一图像传感器像素与第二图像传感器像素之间的梯度掺杂深沟槽隔离(DTI)结构。梯度掺杂DTI结构可包括至少两个掺杂区域，该至少两个掺杂区域从半导体衬底的后表面延伸以形成后侧DTI结构。光散射结构可形成在后表面中并且可被掺杂。当制造图像传感器设备时，可顺序地蚀刻和掺杂至少两个掺杂区域。另选地或附加地，可从半导体衬底的前表面蚀刻沟槽、对该沟槽进行掺杂并且将该沟槽进一步蚀刻到半导体衬底中以形成前侧DTI结构。可在前表面处蚀刻半导体衬底，并且沟槽的附加蚀刻可消除或减少半导体衬底的点蚀。
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