国家知识产权局信息显示,意法半导体国际公司申请一项名为“静电放电保护器件”的专利,公开号CN121646001A,申请日期为2025年8月。
专利摘要显示,本公开涉及静电放电保护器件。本说明书涉及一种被配置为保护电子元件免受静电放电影响的电子器件,所述电子器件包括从半导体衬底的第一表面在半导体衬底中在深度上延伸的半导体区,所述半导体区包括第一导电类型的第一半导体区,并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区,与第一半导体区形成PN结。第一半导体区耦合到形成电子器件的第一连接引脚的第一导电轨,第二半导体区耦合到形成电子器件的第二连接引脚的第二导电轨,并且半导体衬底在第一导电轨和第二导电轨之间。
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