英伟芯申请硅光芯片制造方法专利，实现光栅结构正交排布
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2026-03-13 15:51:18
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国家知识产权局信息显示，英伟芯（上海）科技有限公司申请一项名为“硅光芯片的制造方法和硅光芯片”的专利，公开号CN121634391A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提出了一种硅光芯片的制造方法和硅光芯片。该制造方法包括：在晶圆的衬底上沉积第一介质层；在所述第一介质层上沉积金属层，并将所述金属层刻蚀为反射镜结构；在所述金属层上沉积第二介质层；在所述第二介质层上沉积第二波导层，并将所述第二波导层刻蚀为第二光栅结构；在所述第二波导层上沉积第三介质层；在所述第三介质层上沉积第一波导层，并将所述第一波导层刻蚀为第一光栅结构；其中，所述第一光栅结构和所述第二光栅结构正交排布；在所述第一波导层上沉积第四介质层。
天眼查资料显示，英伟芯（上海）科技有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，英伟芯（上海）科技有限公司专利信息7条。
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来源：市场资讯
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