上海华力申请具有嵌入式外延层的半导体器件专利，降低器件的漏电
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2026-03-14 02:08:02
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“具有嵌入式外延层的半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121665615A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有嵌入式外延层的半导体器件，各半导体器件的栅极结构之间的区域为源漏形成区，源漏形成区的宽度为接触宽度。各源漏形成区中的源漏沟槽的各侧面具有尖端，尖端所在位置的平面和源漏沟槽的顶部表面之间具有第一间距。在源漏沟槽中填充有嵌入式外延层，包括缓冲层、主体层和盖帽层。各源漏形成区中的尖端的第一间距小于等于栅极结构底部的沟道区表面的反型层的厚度，各源漏形成区中的主体层的顶部表面的最低位置高于源漏沟槽的顶部表面。本发明还公开了一种具有嵌入式外延层的半导体器件的制造方法。本发明能降低器件的漏电且还能同时改善器件的性能，能防止器件漏电随接触宽度的增加而增加。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2771条，此外企业还拥有行政许可399个。
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