国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121666083A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；环形的阻挡层结构，位于基底上或位于基底中；第一掺杂区，位于环形的阻挡层结构的内部一侧的基底中，环形的阻挡层结构围绕第一掺杂区，且第一掺杂区具有第一型掺杂离子；第二掺杂区，位于环形的阻挡层结构的外部一侧基底中，第二掺杂区围绕环形的阻挡层结构，第二掺杂区具有第二型掺杂离子，且第一型掺杂离子与第二型掺杂离子的导电类型不同。本实施例中，由于环形的阻挡层结构和第二掺杂区依次环绕在第一掺杂区的周围，有利于提高半导体结构的面积利用率，降低生产成本；同时，半导体结构可以放置于较小的空间区域中，从而有利于进一步提高半导体结构的面积利用率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目50次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯