铠侠申请半导体制造装置及半导体装置的制造方法专利，能够抑制半导体基板上的图案的倒塌
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2026-03-18 04:09:16
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体制造装置及半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121665958A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开提供在半导体基板的湿法蚀刻工序中能够抑制半导体基板上的图案的倒塌的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备贮存通过将调整pH的调整物质向第1液体添加而生成的第1流体的第1流体贮存部。第1流体供给部将第1流体向混合器供给。第2流体供给部使第2流体改性为超临界流体并向混合器供给。第1加热机构容纳混合器并对混合器进行加热。第2加热机构对能够容纳基板的腔室内进行加热。混合流体供给部将在混合器内第1流体以及超临界流体混合而得到的混合流体向第2加热机构供给。
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来源：市场资讯
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