长沙兆通微电子申请集成磁件射频前端电路及芯片专利，能有效降低芯片的流片成本
创始人
2026-03-19 23:58:54
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国家知识产权局信息显示，长沙兆通微电子有限公司申请一项名为“一种集成磁件、射频前端电路及芯片”的专利，公开号CN121687695A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种集成磁件、射频前端电路及芯片，集成磁件包括第一绕组和第二绕组，第一绕组用于当电流流过时在第一区域内产生第一净磁通，第二绕组用于当电流流过时在第二区域内产生第二净磁通，第一区域与第二区域至少部分交叠，第一净磁通和第二净磁通中至少其中之一趋近于零，通过使第一区域和第二区域至少部分交叠，并使交叠区域内第一净磁通与第二净磁通相互作用，使互感耦合效应趋近于零，能使第一绕组与第二绕组在物理空间上高度集成，并抵消彼此间产生的寄生互感，进而确保各绕组在紧密排布下仍能够保持电气性能的独立性，同时，该结构能够显著减少多个分立电磁元件在集成电路中所占用的总面积，从而能够有效降低芯片的流片成本。
天眼查资料显示，长沙兆通微电子有限公司，成立于2024年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，长沙兆通微电子有限公司专利信息5条，此外企业还拥有行政许可2个。
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