三安半导体申请一种稳压二极管专利，双向击穿电压具有高度一致性
创始人
2026-03-25 23:39:42
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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种稳压二极管”的专利，公开号CN121728786A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种稳压二极管，该稳压二极管包括第一导电类型衬底、第二导电类型掺杂区及第一导电类型掺杂区，第二导电类型掺杂区自第一导电类型衬底的第一表面的中间区域向第二表面的方向延伸至第一导电类型衬底的内部。第一导电类型掺杂区形成于第二导电类型掺杂区内，且自第一导电类型衬底的第一表面向第二表面的方向上延伸至第二导电类型掺杂区的内部；第一导电类型掺杂区包括间隔设置的第一子掺杂区和第二子掺杂区，第二子掺杂区与第一导电类型衬底电连接。进而，本发明的稳压二极管的双向击穿电压具有高度一致性。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息640条，此外企业还拥有行政许可406个。
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来源：市场资讯
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