硅存储技术申请非易失性存储器单元的擦除操作专利，提高擦除效率
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2026-03-27 22:43:30
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国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司申请一项名为“非易失性存储器单元的擦除操作”的专利，公开号CN121747655A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，在一个示例中，一种用于擦除非易失性存储器单元的方法包括执行预擦除序列，该预擦除序列包括以阶跃模式向非易失性存储器单元的端子施加电压；以及执行擦除序列，该擦除序列包括向非易失性存储器单元的端子施加多个电压递增的脉冲。
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