重庆材料研究院申请金掺杂PdSe2薄膜热敏电阻及其制备方法专利，具有高灵敏度和快速响应特性
创始人
2026-04-01 19:52:01
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国家知识产权局信息显示，重庆材料研究院有限公司申请一项名为“一种金掺杂PdSe2薄膜热敏电阻及其制备方法”的专利，公开号CN121768782A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种金掺杂PdSe2薄膜热敏电阻及其制备方法，该热敏电阻包括基底、位于基底上的金掺杂PdSe2薄膜以及设置在薄膜上的电极，通过特定的制备工艺实现金元素在PdSe2薄膜中的均匀掺杂，从而显著提升薄膜的热敏性能，使其具有高灵敏度和快速响应特性，适用于高精度温度传感领域。

天眼查资料显示，重庆材料研究院有限公司，成立于1991年，位于重庆市，是一家以从事有色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本40350.34万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆材料研究院有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目529次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息484条，此外企业还拥有行政许可49个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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