晶合集成申请半导体器件及其制作方法专利，能够在确保导通电流的同时降低栅极感应漏极漏电流_电子百科

晶合集成申请半导体器件及其制作方法专利，能够在确保导通电流的同时降低栅极感应漏极漏电流

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2026-04-02 19:47:06

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN121772275A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。半导体器件包括：半导体基板；浅沟槽隔离结构，设置在半导体基板内并划分出有源区域；阱区设置在有源区域的半导体基板内；栅极绝缘层设置在阱区上；栅极电极设置在栅极绝缘层上；源极区域和漏极区域，分别设置在栅极电极的两侧的阱区内；源轻掺杂区和漏轻掺杂区，在栅极电极的下部被阱区分隔开，以预定的重叠长度分别与栅极电极重叠；从浅沟槽隔离结构边界起，在有源区域的预定宽度区域内，栅极电极和漏轻掺杂具有第一重叠长度，其余区域，栅极电极和漏轻掺杂具有第二重叠长度，第一重叠长度小于第二重叠长度。通过本发明，能够在确保导通电流的同时降低栅极感应漏极漏电流。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1585条，此外企业还拥有行政许可26个。

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来源：市场资讯

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