积亚半导体申请碳化硅金氧半导体场效晶体管及其制造方法专利，通过富硅氮化物薄膜隔绝栅极氧化层及碳化硅基板
创始人
2026-05-10 02:14:47
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国家知识产权局信息显示，积亚半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅金氧半导体场效晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN122002856A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅金氧半导体场效晶体管及其制造方法，其中，碳化硅金氧半导体场效晶体管的制造方法包括以下步骤：提供碳化硅基板；于碳化硅基板上形成N型碳化硅外延层，其中N型碳化硅外延层包括顶面；于N型碳化硅外延层内且邻接顶面处形成两掺杂结构，其中每一掺杂结构包括P型阱、N型掺杂区及P型掺杂区，N型掺杂区位于P型阱内，且P型掺杂区位于P型阱内且邻接N型掺杂区；于顶面上沉积富硅氮化物薄膜；于富硅氮化物薄膜上沉积栅极氧化层，其中通过富硅氮化物薄膜隔绝栅极氧化层及碳化硅基板；针对栅极氧化层执行后氧化退火工艺；以及于栅极氧化层上形成栅极结构。
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