苏州凌存科技申请三维半导体电容结构及其制备方法专利，可实现高电容密度、高可靠性及低生产成本的目标
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2026-05-27 00:56:13
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国家知识产权局信息显示，苏州凌存科技有限公司申请一项名为“一种三维半导体电容结构及其制备方法”的专利，公开号CN122094161A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种三维半导体电容结构及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供的三维半导体电容结构包括硅衬底；位于所述硅衬底上的绝缘层；至少两个沿垂直方向堆叠设置的电容单元，每个电容单元从下至上包括金属层、通过旋涂工艺形成于所述金属层上的介电层、以及形成于所述介电层表面的内电极层，相邻电容单元通过贯穿所述介电层的通孔电连接，所述介电层的厚度不小于500nm；相邻的两个电容单元中，上一层电容单元的金属层与下一层电容单元的内电极层为同一结构共用层。本申请提供的三维半导体电容结构及其制备方法，可实现高电容密度、高可靠性及低生产成本的目标。
天眼查资料显示，苏州凌存科技有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1117.5891万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州凌存科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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