索尼申请存储器装置和半导体装置专利，减少磁阻效应元件与布线之间的连接缺陷
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2026-06-03 09:57:39
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“存储器装置和半导体装置”的专利，公开号CN122123135A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明减少磁阻效应元件与布线之间的连接缺陷。该存储器装置包括：存储器单元，包括设置在布线区域中的磁阻效应元件和设置在半导体基板上的单元晶体管；第一下层布线，设置在布线区域中并且连接单元晶体管的端子和磁阻效应元件的一端；第二下层布线，设置在布线区域中并且被配置为具有与第一下层布线基本相同的高度，该第二下层布线连接到单元晶体管的与所述端子不同的另一端子；第一上层布线，设置在布线区域中并且连接到磁阻效应元件的另一端；第二上层布线，布置在布线区域中与第一上层布线相同的层中并且连接到第二下层布线；第一连接部，所述第一连接部是连接第二下层布线和第二上层布线的柱状布线；以及第二连接部，所述第二连接部是连接磁阻效应元件的与所述一端不同的另一端和第一上层布线且直径小于第一连接部的柱状布线。
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