高通申请用于多模式双倍数据速率同步动态随机存取存储器的DDR PHY功率崩溃电路专利，发送器电路可在特定情况下进行相关操作
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2025-06-02 18:04:01
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，高通股份有限公司申请一项名为“用于多模式双倍数据速率同步动态随机存取存储器的DDR PHY功率崩溃电路”的专利，公开号CN120077440A，申请日期为2023年08月。
专利摘要显示，一种发送器电路包括第一驱动器电路，该第一驱动器电路被配置为驱动集成电路设备中的输入/输出焊盘，该第一驱动器电路包括薄氧化物晶体管，该薄氧化物晶体管被配置为当该发送器电路在第一模式下操作时将该输入/输出焊盘耦合到第一电压轨；栅极上拉晶体管，该栅极上拉晶体管被配置为当第三电压轨的电压崩溃到0伏电平时将该薄氧化物晶体管的栅极耦合到第二电压轨；和开关，该开关被配置为当该第三电压轨的该电压崩溃到该0伏电平时阻挡门控信号到该薄氧化物晶体管的该栅极的发送。
来源：金融界
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