新存科技申请相变存储器专利，减小第一选通层和第二选通层的阈值电压的差异
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2025-06-02 19:35:08
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器”的专利，公开号CN120076341A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供一种相变存储器，该相变存储器包括衬底和位于衬底上沿第一方向堆叠的至少一个存储单元组，每个存储单元组包括第一存储单元和位于第一存储单元远离衬底一侧的第二存储单元。第一存储单元包括沿第一方向堆叠的第一底电极、第一选通层、第一中间电极、第一存储层和第一顶电极。第二存储单元包括沿第一方向堆叠的第二底电极、第二选通层、第二中间电极、第二存储层和第二顶电极，第二选通层与第一选通层不同。因此可以弥补第一选通层和第二选通层由于电流方向相反带来的阈值电压差异，从而减小第一选通层和第二选通层的阈值电压的差异，直至两者阈值电压相当，这样就可以采用相同的电信号对第一存储单元和第二存储单元进行操作。
来源：金融界
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