无锡旷通半导体申请多层外延的智能半导体器件及制备方法专利，隔离电压稳定
创始人
2025-06-10 22:35:27
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司申请一项名为“多层外延的智能半导体器件及制备方法”的专利，公开号CN120127057A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明涉及一种多层外延的智能半导体器件及制备方法，包括主半导体和功能半导体，功能半导体包括功能隔离区和设置在功能隔离区内侧的功能有源区，功能隔离区包括第二导电类型第一功能柱，设置在第一导电类型外延层内，第二导电类型第二功能柱设置在第二导电类型第一功能柱的正面且和第二导电类型第一功能柱连接，第二导电类型第二功能柱在第一方向上的宽度小于第二导电类型第一功能柱在第一方向上的宽度，功能有源区包括第二导电类型第三功能柱且设置在第一导电类型外延层内，第二导电类型第三功能柱沿第一方向上的宽度大于第二导电类型第二功能柱沿第一方向上的宽度，本发明具有隔离电压稳定，隔离电场更平滑，有效的降低了尖峰电场的效果。
天眼查资料显示，无锡旷通半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡旷通半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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