金融界2025年6月11日消息,国家知识产权局信息显示,杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学申请一项名为“一种具有双面变高K介质结构的部分绝缘层上硅LDMOS器件”的专利,公开号CN120129277A,申请日期为2025年03月。
专利摘要显示,本发明公开了一种具有双面变高K介质结构的部分绝缘层上硅LDMOS器件,该LDMOS器件包括依次层叠设置的衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层;所述的硅膜层包括硅材料主体和高K介质区;硅材料主体的两侧均设有高K介质区;高K介质区包括并列设置的第一高K介质和第二高K介质;第一高K介质与第二高K介质的宽度相等,K值不同。通过设置的宽度相同、K值不同的第一高K介质和第二高K介质,有助于引导电通量,调制器件电场的分布,降低源漏两端的电场,使得器件表面电场分布更加均匀,防止器件因源漏两端电压过高导致提前击穿的问题,从而提高器件的击穿电压。
来源:金融界