杭州电子科技大学温州研究院申请具有双面变高K介质结构专利，提高器件的击穿电压
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2025-06-11 13:09:27
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学申请一项名为“一种具有双面变高K介质结构的部分绝缘层上硅LDMOS器件”的专利，公开号CN120129277A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有双面变高K介质结构的部分绝缘层上硅LDMOS器件，该LDMOS器件包括依次层叠设置的衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层；所述的硅膜层包括硅材料主体和高K介质区；硅材料主体的两侧均设有高K介质区；高K介质区包括并列设置的第一高K介质和第二高K介质；第一高K介质与第二高K介质的宽度相等，K值不同。通过设置的宽度相同、K值不同的第一高K介质和第二高K介质，有助于引导电通量，调制器件电场的分布，降低源漏两端的电场，使得器件表面电场分布更加均匀，防止器件因源漏两端电压过高导致提前击穿的问题，从而提高器件的击穿电压。
来源：金融界
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