利诺士申请半导体晶圆或芯片保护薄膜形成用复合片专利，标记可视性优异
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2025-07-02 13:38:36
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，利诺士尖端材料有限公司申请一项名为“半导体晶圆或半导体芯片的保护薄膜形成用复合片”的专利，公开号CN120230498A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于保护半导体晶圆或半导体芯片的保护薄膜形成用复合片，本发明的复合片包括：基材薄膜；粘合剂层，层叠在所述基材薄膜的一面；以及保护薄膜，层叠在所述粘合剂层上，所述粘合剂层在532nm波长下的透光率超过85％，所述粘合剂层在600～680nm波长下的透光率为80％以下，因此即使在激光标记工艺之后，粘合剂层与保护薄膜之间也不会发生气体积聚，并且标记可视性优异。

来源：金融界

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