聚源创富半导体申请半导体封装结构专利有效减小芯片在半导体封装结构中的占用面积_电子技术

聚源创富半导体申请半导体封装结构专利有效减小芯片在半导体封装结构中的占用面积

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2025-07-15 22:09:54

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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，聚源创富（深圳）半导体有限公司申请一项名为“半导体封装结构”的专利，公开号CN120319731A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括引线架、第一MOS芯片和第二MOS芯片；第一MOS芯片的正面设有第一电极，第一MOS芯片的背面设有第二电极和第三电极；第一MOS芯片设置在基岛上，第一电极与基岛电连接；第二MOS芯片的正面设有第四电极，第一MOS芯片的背面设有第五电极和第六电极；第二MOS芯片叠放在第一MOS芯片上，第四电极与第二电极电连接；第一连接引脚与第二MOS芯片的第六电极电连接；第二连接引脚分别与第一MOS芯片的第三电极和第二MOS芯片的第五电极电连接，通过上下堆叠的方式对串联的第一MOS芯片和第二MOS芯片进行封装，有效减小第一MOS芯片和第二MOS芯片在半导体封装结构中的占用面积，有利于实现多MOS芯片封装的小型化。

天眼查资料显示，聚源创富（深圳）半导体有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚源创富（深圳）半导体有限公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。

来源：金融界

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