玄武石半导体申请低温漂高PSRR高压预稳压电路专利，产生与温度无关的稳压电压
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2025-07-16 13:09:48
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，玄武石半导体（武汉）有限公司申请一项名为“一种低温漂高PSRR高压预稳压电路”的专利，公开号CN120315525A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种低温漂高PSRR高压预稳压电路，属于电源管理集成电路领域。包括启动电路、Brokaw核心电路、反馈电阻网络、输出PLDMOS管PLDM1、滤波电容C1。启动电路能够使得电路上电后摆脱简并点，开始正常工作；Brokaw核心电路能够产生低温漂高精度的参考电压，并通过反馈电阻网络成比例的反馈到输出电压上，进而产生与温度无关的稳压电压。电路中的高压NLDMOS管NLDM1~NLDM4能够实现高低压隔离。该预稳压电路受温度、电压以及工艺影响较小，具有较高的PSRR特性，可为LDO、DCDC芯片内部的低电压模块供电，因其内部具有Brokaw核心，可同时用作基准电路使用，因此使用价值很高，值得推广使用。
天眼查资料显示，玄武石半导体（武汉）有限公司，成立于2019年，位于武汉市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，玄武石半导体（武汉）有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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