甬矽半导体申请 5D 衬底封装方法和封装结构专利，有利于降低电感效应以及寄生效应
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2025-07-16 19:10:26
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金融界 2025 年 7 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D 衬底封装方法和封装结构”的专利，公开号 CN120319666A，申请日期为 2025 年 06 月。
专利摘要显示，本申请提供的一种 2.5D 衬底封装方法和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该 2.5D 衬底封装方法包括提供载具；其中，载具具有平坦部和凸台部；凸台部凸出于平坦部。在凸台部形成第一布线层；在平坦部形成第二布线层；第一布线层和第二布线层相互独立。贴装第一芯片；第一芯片包括多个第一电连部，至少一个第一电连部和第一布线层电连接，至少一个第一电连部和第二布线层电连接；与第一布线层相连的第一电连部的长度小于与第二布线层相连的第一电连部的长度。去除载具；在第二布线层远离第一芯片的一侧形成焊球。有利于降低电感效应以及寄生效应，缩短传输路径，提高传输效率，提升芯片集成度和产品性能。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司参与招投标项目33次，专利信息178条，此外企业还拥有行政许可14个。
来源：金融界
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