章阁仪器申请半导体结构及其形成方法专利，有利于保障半导体结构的工作性能
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2025-07-18 13:08:50
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市章阁仪器有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120341178A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，叠层结构包括沿纵向自下而上交替堆叠的介质层和第一牺牲层；形成贯穿叠层结构的多个通孔；形成覆盖通孔侧壁的第二牺牲层，第二牺牲层包括沿横向堆叠的多个子牺牲层；形成填充通孔且覆盖第二牺牲层的导电柱结构；去除叠层结构中所有的第一牺牲层，形成纵向相邻的介质层围成的沿纵向间隔排列的多个第一沟槽；沿每个第一沟槽去除露出的部分第二牺牲层，形成露出导电柱结构部分侧壁的第二沟槽，第二沟槽与第一沟槽连通为第三沟槽；形成覆盖第三沟槽各个侧面和底面的介电层；形成填充第三沟槽且覆盖介电层的导电板结构。
天眼查资料显示，深圳市章阁仪器有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市章阁仪器有限公司参与招投标项目24次，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可164个。
来源：金融界
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