和舰芯片申请源体触点收缩布局及MOS晶体管专利，减小导通电阻
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2025-07-18 22:09:51
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种源体触点的收缩布局及MOS晶体管”的专利，公开号CN120343963A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本发明公开了一种源体触点的收缩布局及MOS晶体管，其中，多个源体触点设置于N+/P+扩散区的交界处，所述源体触点在竖向以列排布，任意两个源体触点水平方向不在一条直线上，交错摆放。本发明区别于常规的收缩布局方式，将源体触点改为设置于N+/P+扩散区交界处且交错摆放，大幅减小沟道方向源端/体端宽度，通过这种新的收缩布局减小导通电阻因子，从而达到减小导通电阻的目的，采用此工艺方法制造的DMOS导通电阻因子能够减小5％‑25％。
天眼查资料显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司，成立于2001年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本314524.57万人民币。通过天眼查大数据分析，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息393条，此外企业还拥有行政许可26个。
来源：金融界
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