深爱半导体申请快恢复二极管及其制作方法专利，提升正温度系数的快恢复二极管的反向恢复速度_电子技术

深爱半导体申请快恢复二极管及其制作方法专利，提升正温度系数的快恢复二极管的反向恢复速度

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2025-07-21 12:38:08

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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，深圳深爱半导体股份有限公司申请一项名为“快恢复二极管及其制作方法”的专利，公开号CN120343928A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请涉及一种快恢复二极管及其制作方法，快恢复二极管包括：衬底；第一外延层，位于衬底的一侧，第一外延层的内部形成有至少一个浮空区，其中，第一外延层和衬底的掺杂类型相同，浮空区和第一外延层的掺杂类型不同；有源层，位于第一外延层远离衬底的一侧，有源层包括阳极区和终端区，其中，阳极区和终端区均与第一外延层接触，终端区围绕阳极区设置，阳极区和浮空区的掺杂类型相同；隔离层，位于有源层远离衬底的一侧，隔离层包括接触孔，接触孔暴露部分阳极区；第一金属层，位于隔离层远离衬底的一侧，其中，第一金属层通过接触孔与阳极区接触；如此，提升了正温度系数的快恢复二极管的反向恢复速度。

天眼查资料显示，深圳深爱半导体股份有限公司，成立于1988年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本25717.2395万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳深爱半导体股份有限公司参与招投标项目369次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息163条，此外企业还拥有行政许可48个。

来源：金融界

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