无锡商甲半导体申请半导体器件终端保护结构及制造方法专利，实现终端电场更好的均匀分布_电子技术

无锡商甲半导体申请半导体器件终端保护结构及制造方法专利，实现终端电场更好的均匀分布

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2025-07-21 12:38:20

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金融界 2025 年 7 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡商甲半导体有限公司申请一项名为“半导体器件终端保护结构及制造方法”的专利，公开号 CN120343960A，申请日期为 2025 年 06 月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件终端保护结构及制造方法；所述半导体器件终端保护结构包括：在分压保护区，第一导电类型外延层中设有分压沟槽，各柱状的分压沟槽间隔设置排列成断开式环形沟槽结构，围绕有源区间隔设置两个以上的断开式环形沟槽结构；第一导电类型外延层顶部设有第二导电类型阱区；分压沟槽自第一主面伸入第二导电类型阱区之下；在分压沟槽的内壁设有栅氧化层；在分压沟槽中设有场板多晶硅；一体构造的串联二极管结构和引出极横跨在所有的两个以上的断开式环形沟槽结构上方；本发明能够实现终端电场更好的均匀分布，提高器件耐压可靠性。

天眼查资料显示，无锡商甲半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1161万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡商甲半导体有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

制造显示沟槽终端电场导体保护无锡结构专利导电器件商甲

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