广州诺尔光电申请一种传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法专利，显著提升锗基图像传感器对光的吸收效率_电子技术

广州诺尔光电申请一种传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法专利，显著提升锗基图像传感器对光的吸收效率

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2025-07-21 12:38:34

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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，广州诺尔光电科技有限公司申请一项名为“一种传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法”的专利，公开号CN120344003A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请提供一种传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法，传感器结构包括衬底，衬底包括半导体层，还包括衬底上的介质层，以及贯穿介质层的开口，开口暴露半导体层，传感器结构还包括介质层上以及开口内的第二掺杂层，还包括第二掺杂层上层叠的本征吸收层和第三掺杂层，第三掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同，在半导体层上形成第二掺杂层，第一介质层的开口能够减少第二掺杂层的位错，降低第二掺杂层中的位错缺陷密度，提高探测器的灵敏度。半导体层和介质层有助于提升传感器的峰值响应和量子效率。开口中的部分第二掺杂层作为微纳结构，能够高效地将入射光局限在微小区域内，进而显著提升锗基图像传感器对光的吸收效率。

天眼查资料显示，广州诺尔光电科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1111.1111万人民币。通过天眼查大数据分析，广州诺尔光电科技有限公司专利信息48条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界

制造方法介质显著提升图像诺尔传感器导体结构专利键合衬底介质层杂层

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