广州诺尔光电申请一种传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法专利，显著提升锗基图像传感器对光的吸收效率
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2025-07-21 12:38:34
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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，广州诺尔光电科技有限公司申请一项名为“一种传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法”的专利，公开号CN120344003A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法，传感器结构包括衬底，衬底包括半导体层，还包括衬底上的介质层，以及贯穿介质层的开口，开口暴露半导体层，传感器结构还包括介质层上以及开口内的第二掺杂层，还包括第二掺杂层上层叠的本征吸收层和第三掺杂层，第三掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同，在半导体层上形成第二掺杂层，第一介质层的开口能够减少第二掺杂层的位错，降低第二掺杂层中的位错缺陷密度，提高探测器的灵敏度。半导体层和介质层有助于提升传感器的峰值响应和量子效率。开口中的部分第二掺杂层作为微纳结构，能够高效地将入射光局限在微小区域内，进而显著提升锗基图像传感器对光的吸收效率。
天眼查资料显示，广州诺尔光电科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1111.1111万人民币。通过天眼查大数据分析，广州诺尔光电科技有限公司专利信息48条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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