华中科大与浙江芯盟申请集成金刚石散热层的IGBT芯片及其制备方法专利，进一步提高芯片散热效率
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2025-07-21 20:10:18
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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，华中科技大学;浙江芯盟半导体技术有限责任公司申请一项名为“一种集成金刚石散热层的IGBT芯片及其制备方法”的专利，公开号CN120343932A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请属于半导体芯片散热领域，具体公开了一种集成金刚石散热层的IGBT芯片及其制备方法。本申请将高导热材料金刚石直接嵌入集电极金属，金刚石散热层更贴近芯片，传热路径更短，进一步提高芯片散热效率；本申请将金刚石散热层和IGBT芯片集电极金属紧密结合，从而降低了总热阻；由于散热路径短、热阻低，因此，暂态响应快。本申请还提供了金刚石散热层的布局方式，确保散热均匀性，同时降低制备难度。在制备工艺上，本申请通过高温沉积、激光加工镶嵌或者低温键合实现，以确保金刚石散热层与IGBT芯片的紧密结合，减少界面热阻，提高热量传递效率。
来源：金融界
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