辰达半导体申请一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管的制备方法专利，通过氧化氧化的方式避免了出现碳残留的情况_电子技术

辰达半导体申请一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管的制备方法专利，通过氧化氧化的方式避免了出现碳残留的情况

创始人

2025-07-22 10:10:51

0次

金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，深圳辰达半导体有限公司申请一项名为“一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管的制备方法”的专利，公开号CN120356834A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域；包括以下步骤：将碳化硅晶片通过RCA标准清洗法进行清洗并干燥；然后通过低压化学气相沉积法在＜600℃条件下于清洗并干燥后的碳化硅表面沉积非晶硅膜，得到预处理碳化晶片；在700‑800℃干氧环境下对预处理的碳化硅晶片上的非晶硅膜进行氧化，然后在1100‑1200℃氮气氛围下进行一次退火，然后在表面涂硼层，在000‑1100℃条件下进行二次退火处理10min；通过剥离剥离法将单层六方氮化硼通过亚克力玻璃转移至二次退火后的晶片表面，然后进行三次退火处理后进行电极成型处理；通过氧化氧化的方式避免了出现碳残留的情况，然后通过氮气和硼元素协同钝化的方式提升沟道迁移率。

天眼查资料显示，深圳辰达半导体有限公司，成立于2010年，位于深圳市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本526.3158万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳辰达半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可10个。

来源：金融界

企业进行范围预处理氧化残留方式导体碳化硅专利非晶硅膜氮气晶片

上一篇：西部超导上市6周年：归母净利润增长406%，市值较峰值蒸发39.82%

下一篇：高温潮湿易引火，谨防电器受潮短路，电器莫超负荷使用，人离切记断电源。

辰达半导体申请一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管的制备方法专利，通过氧化氧化的方式避免了出现碳残留的情况

相关内容

热门资讯