随着电动汽车、5G/6G通信、射频和人工智能应用等领域的需求日益强劲，化合物半导体市场持续增长。近期，国内化合物半导体设备领域喜讯频传，包括盛美上海推出新设备、先为科技设备发货等，展现出国产设备正加速突围的势头。

盛美上海

9月18日，盛美上海官微宣布，推出首款专为宽禁带化合物半导体制造而设计的Ultra ECDP电化学去镀设备。

图片来源：盛美上海

据介绍，该新设备专为在晶圆图形区域外进行电化学晶圆级金（Au）蚀刻而设计，可实现更高的均匀性、更小的侧蚀和增强的金线外观。

Ultra ECDP设备提供专业化工艺，包括金凸块去除、薄膜金蚀刻及深孔金去镀，并配备集成的预湿和清洗腔体。其具备精确的化学液循环和先进的多阳极电化学去镀技术，该系统实现了最小化的侧向蚀刻、优异的表面光洁度以及所有图形特征的卓越均匀性。

Ultra ECDP专为满足化合物半导体制造不断发展的要求而设计，可适应不同衬底（包括碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）和磷酸锂（Li₃PO₄））等的独特物理特性-如重量、应力和厚度。采用模块化设计的Ultra ECDP具有灵活性，可在单一平台内集成电镀和去镀工艺，并利用多阳极技术控制不同区域的去镀过程。此外，Ultra ECDP还提供水平全表面去镀方式，以防止加工过程中的交叉污染。

先为科技

同日，先为科技官微宣布，无锡先为科技有限公司自主研发的EliteMO系列常压型GaN MOCVD设备于9月17日正式发货，交付国内某头部化合物半导体晶圆厂。

图片来源：先为科技

据了解，EliteMO系列金属有机化学气相沉积外延设备，具备广泛的应用覆盖与领先的工艺性能，适用于GaN LD、绿光到紫外LED、GaN电子器件、GaN基新结构材料、Ga₂O₃外延及AIN外延生长。该设备可实现多区电阻加热，具备优异的温度均匀性，可提供多元多组分、n/p型等多种材料外延生长解决方案，赋能先进材料的外延研发与制造。

此前6月16日，先为科技交付了BrillMO系列GaN MOCVD设备，据介绍，该设备各项性能均达到行业领先水平，在设计上独具匠心，运用特有的温场和流场设计，不仅能实现高质量的成膜效果，为功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造提供坚实保障，而且在产能上表现卓越，能够大幅提升生产效率，同时有效降低了使用成本，为客户提供优异的GaN外延加工解决方案。

北方华创

作为国内化合物外延设备头部企业，北方华创于7月宣布两款自主研发的MOCVD（金属有机物化学气相沉积）外延设备（型号：Satur N800/ Satur V700）顺利通过行业龙头客户验收，并获得批量重复订单。

公开资料显示，MOCVD设备是一种利用金属有机化合物进行金属输送的气相外延生长设备。它需要在原子尺度上实现复杂材料的纳米精度控制、量子级界面控制。此外，还需具备高真空环境和高精度温控系统，以确保材料的纯度和生长的稳定性。

图片来源：北方华创

其中，Satur N800面向8英寸硅基氮化镓功率器件的特殊需求设计，具备大面积均匀温度场、大范围稳定可调气流场，以及多片式（Batch）大产能和自动化配置，能够满足化合物半导体先进器件对外延层组分、厚度和掺杂均匀性的高要求。Satur V700成功突破了气流场、温度场、副产物控制等关键技术，具备高均匀性、大产能、低成本等优势。该设备不仅能够满足Micro LED行业的痛点需求，还可广泛应用于射频、光电子等领域。

结语

随着先为科技、盛美上海、北方华创等企业在关键设备领域的突破，国产化合物半导体设备正逐步形成完整产业链。从材料生长到芯片制造，从工艺设备到支持设备，国内企业正在各个环节实现技术突破和产业化应用。

国际厂商如德国Aixtron、美国Veeco等仍在高端设备市场占据主导地位，但国内企业通过差异化创新和本地化服务优势，正在逐步扩大市场份额。未来，随着技术积累的加深和市场应用的拓展，国产化合物半导体设备有望在全球市场占据更重要地位。

（文/集邦化合物半导体 金水 整理）