鹏芯微申请半导体激光退火装置及加热部件设计方法专利，对半导体进行退火处理
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2025-11-24 19:07:38
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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体激光退火装置及加热部件设计方法”的专利，公开号CN 120998801 A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体激光退火装置及加热部件设计方法，其中，半导体激光退火装置用于对半导体(101)进行退火处理，所述半导体(101)沿预设路径移动以在其表面形成扫描路径，所述半导体激光退火装置包括：加热部件(1)，被配置为对所述半导体(101)的多个加热区域预先加热，多个所述加热区域沿所述扫描路径方向延伸；和第一激光器(2)，被配置为发出激光以将第一光斑(10)所在的区域加热至第一预设温度，在所述半导体(101)的移动过程中，所述第一光斑(10)沿所述扫描路径移动以对所述半导体(101)进行扫描加热。
天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息75条，此外企业还拥有行政许可215个。
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来源：市场资讯
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