芯恩申请用于BCD工艺的半导体结构及其制造方法专利，可提供由MPS二极管和金属硅化物构成的电熔丝结构的性能及良率_电子技术

芯恩申请用于BCD工艺的半导体结构及其制造方法专利，可提供由MPS二极管和金属硅化物构成的电熔丝结构的性能及良率

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2025-11-25 11:07:20

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国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“用于BCD工艺的半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN 121001392 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明提供了一种用于BCD工艺的半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，在所述衬底表面形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层的开口暴露所述衬底表面的N型掺杂区；执行P型离子注入，在所述N型掺杂区形成若干P型重掺杂区，以在所述衬底中形成MPS二极管；去除所述图形化的光刻胶层及所述衬底表面的氧化层；执行解耦等离子体氮化工艺在所述衬底表面形成氮化层；在所述衬底表面形成包括金属硅化物层，并以所述金属硅化物作为所述MPS二极管上的熔丝。本申请可提供由MPS二极管和金属硅化物构成的电熔丝结构的性能及良率。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目187次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息869条，此外企业还拥有行政许可56个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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