中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低源漏外延层与栅极结构间的电容_电子技术

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低源漏外延层与栅极结构间的电容

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2025-11-25 12:35:38

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 121001391 A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底、位于衬底上的鳍部以及位于鳍部上的栅极结构；在鳍部上、栅极结构侧壁以及栅极结构上形成初始第一侧墙；在形成初始第一侧墙后，对栅极结构两侧的鳍部进行刻蚀，形成源漏开口和位于栅极结构侧壁的第一侧墙；在源漏开口内形成源漏外延层在形成源漏外延层后形成位于第一侧墙上的低介电侧墙。相较于先形成低介电侧墙，对低介电侧墙进行刻蚀处理形成源漏开口的的工艺流程，本方案在形成源漏外延层后形成位于第一侧墙上的低介电侧墙，避免了对低介电侧墙刻蚀形成源漏开口时，对鳍部顶部拐角的低介电侧墙的损耗，降低了源漏外延层与栅极结构间的电容，同时提升了半导体器件的交流性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示栅极投资中芯国际电容外延导体结构专利半导体低介电侧墙鳍部中芯

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