广西云芯半导体申请HEMT芯片制备方法及系统专利,漏电流大幅降低
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2025-11-25 14:36:09
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国家知识产权局信息显示,广西云芯半导体科技有限公司申请一项名为“HEMT芯片制备方法及系统”的专利,公开号CN 121001373 A,申请日期为2025年8月。专利摘要显示,本发明公开一种HEMT芯片制备方法及系统,其中该方法包括:基于第一刻蚀方法在外延片上的外延层上进行纵向刻蚀,形成若干物理隔离沟槽,借助于物理隔离沟槽,将外延层分割为包括若干独立管芯单元的管芯阵列;对于任一管芯单元,基于第二刻蚀方法,在其侧面外延刻蚀出阶梯状结构;采用强电负性的离子流轰击阶梯状结构的表面,使得离子流中的活性离子体与阶梯状结构表面的悬挂键结合,形成键合层,以钝化阶梯状结构表面。上述方法,通过形成稳定的化学键合层,直接中和外延迟表面的悬挂键,表面态陷阱电荷减少,电子迁移路径被阻断,使得漏电流大幅降低;另外,基于所形成的键合层,还能有效优化阶梯状结构表面的电场分布,从而提高了击穿电压。

天眼查资料显示,广西云芯半导体科技有限公司,成立于2023年,位于南宁市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析,广西云芯半导体科技有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息10条,此外企业还拥有行政许可3个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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