力晶积成申请动态随机存取存储器结构专利
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2025-11-27 11:15:54
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“动态随机存取存储器结构”的专利，公开号CN 121013327 A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明公开一种动态随机存取存储器结构，包括基底、字线结构、第一掺杂区、第二掺杂区、电容器结构、通孔、第一介电层与位线。基底包括彼此相对的第一面与第二面。字线结构邻近于第一面设置。第一掺杂区与第二掺杂区位于基底中且彼此分离。电容器结构位于第一面上。电容器结构电连接于第一掺杂区。通孔位于基底中。通孔电连接于第二掺杂区。第一介电层位于通孔与基底之间。位线位于第二面上。位线电连接于通孔。
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