积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，增大器件的集成密度_电子技术

积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，增大器件的集成密度

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2025-11-27 11:20:02

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN 121013400 A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括基底以及栅极结构。其中，基底包括多个有源区以及隔离有源区的隔离结构，有源区具有本体部以及褶皱结构，在垂直于基底的方向上，褶皱结构位于本体部的一侧，在第一方向上，本体部的有源区的水平长度小于褶皱结构的有源区的表面长度，此时，由于褶皱结构的存在，沟道区的导电方向上的表面长度更长，且沟道区的长度为褶皱结构的表面长度，所以可以将本体部的有源区的水平长度减小，增加褶皱结构的表面长度，从而在不改变沟道区的长度的前提下，即不影响半导体器件性能的前提下，增大器件的集成密度，进而有效减小器件的面积。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1907次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1282条，此外企业还拥有行政许可200个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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