意法半导体申请减少GAN开关驱动损耗电路和方法专利，减少GAN开关中的驱动损耗
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2025-05-22 18:09:47
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于减少GAN开关中的驱动损耗的电路和方法”的专利，公开号CN120021145A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本公开的实施例涉及用于减少GAN开关中的驱动损耗的电路和方法。半桥电路包括两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。驱动器电路生成与方波相对应的高侧驱动器信号和低侧驱动器信号。驱动器死区时间是两个驱动器信号都为低之间的时段。半桥调整电路被耦合在驱动器与半桥电路之间，并且生成修正高侧驱动器信号和修正低侧驱动器信号，修正高侧驱动器信号和修正低侧驱动器信号各自包括在对应的死区时间期间从低电压到中间电压的转变、以及在对应的死区时间结束时从中间电压到高电压的转变。半桥调整电路利用修正高侧驱动器信号和修正低侧驱动器信号来驱动高侧晶体管的栅极端子和低侧晶体管的栅极端子。

来源：金融界

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