晶合集成申请一种多晶硅电阻的仿真方法及仿真模型专利，使仿真出的多晶硅电阻在实际应用时不会被击穿
创始人
2025-12-08 19:07:03
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种多晶硅电阻的仿真方法及仿真模型”的专利，公开号CN121072189A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种多晶硅电阻的仿真方法及仿真模型，涉及半导体技术领域。针对多晶硅电阻在仿真过程中无法识别器件击穿情况，而使多晶硅电阻与外部电路无法匹配的情况，本申请改进了多晶硅电阻的仿真模型。具体地，本申请将多晶硅电阻的仿真模型基于其击穿电压配置为多段模型，并将对多晶硅电阻施加电压高于击穿电压时的分段模型配置为高阻态，以使前述仿真模型能通过高阻态在电压下形成的高阻态电流标识多晶硅电阻的击穿状态，以使仿真出的多晶硅电阻在实际应用时不会被击穿，以避免工作人员的重复作业。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目632次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1452条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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