前言

在快充和高功率密度适配器迅速升级的趋势下，传统硅器件在开关频率、效率和温升控制方面已稍显不足。为了在有限体积内做到更高功率、更高效率和更低温升，越来越多厂商开始引入具备更高耐压裕量、更低开关损耗的 SiC 器件。

与控制器 + 外置驱动 + 分立 SiC MOSFET的离散方案相比，合封 SiC 控制器将 SiC 开关管与控制、驱动深度集成在同一芯片内，不仅可以在高频准谐振、轻载节能等控制策略下提升整机效率，还能在 BOM 精简、寄生参数控制、EMI 优化和批量可制造性方面带来明显优势，对工程调试和量产一致性尤为有利。

为了让业界更好地了解这一高效技术路线，充电头网特别整理了近期热门的合封SiC快充芯片。

MERAKI茂睿芯

茂睿芯MK2799DAM

MK2799DAM 是茂睿芯面向 65W 级 PD 适配器与多口充电器推出的合封式 SiC 控制器，其设计思路围绕“整合、匹配与可制造性”展开。该芯片内部集成了一颗额定约 750V、导通电阻为 450mΩ 的 SiC 功率管，并配套内部驱动与准谐振反激控制逻辑，从而在单芯片层面实现了功率开关与驱动的协同优化。

MK2799DAM 支持 16–30V 的 VCC 工作电压范围，VCC耐压为35V，典型工作频率为 135kHz，采用 ESOP10 封装并支持单面波峰焊工艺，解决了消费电子制造对波峰/回流兼容性的刚性需求，尤其是适配器产品。

在效率方面，MK2799DAM 在 230VAC 的实验板验证上峰值效率可达 94.2%，在 90VAC 低电压情况下仍能维持约 91% 级别效率，115VAC、常见工况点也接近 92–93% 的表现。与此同时，MK2799DAM 在同等效率条件下的板面/表面温度明显低于传统硅方案，这一优势可直接转化为商业价值，即可以省去散热片，获得更低的散热设计成本与更高的长期可靠性。

同时为了解决适配器（带线）线上短路与线端残压带来的异常工况，MK2799DAM 在参考电压环处采取了抬高策略以提升系统短路时的容错能力；此外，芯片还内置了全面的保护与系统级优化特性，并提供了针对不同外部器件的驱动电压/速度匹配，使同一套片在面对不同厂商或不同规格的 SiC MOS管时能够维持 EMI/效率与驱动稳定性的平衡。

相比起“控制器 + 外置 SiC 驱动 + 分立 SiC 管”的传统做法，合封方案在 BOM 简化、PCB 布局与寄生参数控制上具有天然优势，省去独立驱动器件不仅缩短了驱动回路路径，降低寄生电感和环路噪声，也减轻了工程调试工作量。同时，高频优化的驱动与自适应开关频率逻辑可在轻载到重载区间都有利于提高系统平均效率并降低被动器件体积，从而实现更高的功率密度。

MK2799DAM 的定位明确面向 PD 多口与单口 65W 峰值场景，既能满足消费级体积与外形约束，又具备在更宽输入电压与更严苛工况下的可靠性，体现了从器件到系统的协同工程设计思路。

Si-Power硅动力

硅动力SP9477W

SP9477W是无锡硅动力面向快充与高功率密度适配器应用推出的集成型高频准谐振反激控制器，内部集成700V SiC功率器件，在同类方案中具备更高耐压裕量与更优开关性能。通过准谐振谷底锁定控制及中轻载频率折返、Burst 模式自适应调节，SP9477W在全负载范围实现高效率与低噪声兼顾，既有利于提升USB-PD/Type-C快充适配器的能效等级，也便于厂商在有限体积内实现更高功率密度设计。同时，SiC器件一体化集成有效简化了外围电路与设计调试工作，有助于缩短整机开发周期。

在系统可靠性与EMI性能方面，SP9477W内置输入欠压/过压、初级限流、过温等多重保护机制，并提供可配置 OCP 保护以适配不同规格输出平台；配合动态驱动能力调整技术，可有效降低次级整流管的电压、电流应力，提升整机长期可靠性。SP9477W集成频率抖动功能，有助于优化EMI裕量，配合增强散热型 ESOP10W 封装，大幅降低工作温升。在65 W适配器应用中，SP9477W在230Vac下可实现高达94.6%的转换效率，非常适用于PD/PPS适配器、手机快充以及各类高功率密度电源的量产应用。

相关阅读：

1、硅动力新品SP9477W：内置SiC器件的快充革新方案

充电头网总结

通过对茂睿芯硅与动力相关方案的盘点，不难发现，合封 SiC 已逐渐走进大众视野，充电头网也从供应链了解到，目前已有多家企业将这类控制器应用到产品中，让电源适配器效率有效提升、发热有效降低、体积大幅精简，这些突破能直接转化为产品在场景中的实用价值。

随着第三代半导体技术的进一步沉入，合封SiC方案有望成为中大功率充电的新标配。这类不仅加速了快产品向更高功率密度迭代，也为电源行业提供了一条增加多重的能效升级路径。对于追求终极产品力的厂商方面，拥抱合封SiC，即是拥抱下一代快充市场的主流趋势。