华虹半导体申请ONO层制作方法及炉管机台专利，改善晶圆背面薄膜脱落现象_电子技术

华虹半导体申请ONO层制作方法及炉管机台专利，改善晶圆背面薄膜脱落现象

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2026-01-23 11:41:27

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司和华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“ONO层的制作方法和炉管机台”的专利，公开号CN121368343A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本申请公开了一种ONO层的制作方法和炉管机台，该方法包括：通过传送装置将晶圆从存储腔室传送至炉管机台的晶舟上，晶圆上依次形成有第一氧化物层和氮化物层，在传送晶圆的过程中，使晶圆以穿过其圆心的法线为轴旋转预定角度；通过CVD工艺在氮化物层上沉积形成第二氧化物层，第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层构成ONO层。本申请通过在制作ONO层的第二氧化物层的过程中，在将晶圆从存储腔室传送至炉管机台的晶舟的过程中，使晶圆以穿过其圆心的法线为轴旋转预定角度，从而使沉积第二氧化物层时晶圆与晶舟的接触区域和沉积前两层薄膜时的接触区域错开，避免了晶圆热应力集中，改善了晶圆背面薄膜的脱落现象。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1983条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可229个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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