鸿扬半导体申请形成晶圆的方法专利，解决晶圆切割翘曲问题
创始人
2026-01-23 12:10:45
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国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“形成晶圆的方法”的专利，公开号CN121361157A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种形成晶圆的方法包含沿着平行于晶锭的上表面的方向切割晶锭，以形成第一晶圆，将第一晶圆的上表面及下表面分别接合至第一载板及第二载板，沿着平行于第一晶圆的上表面的方向切割第一晶圆，以形成第二晶圆，其中第二晶圆的第一者接触第一载板，而第二晶圆的第二者接触第二载板，以及从第二晶圆的第二者移除第二载板。本发明可用于解决尺寸较大的晶圆切割得较薄时，所形成的晶圆容易遭受的翘曲问题。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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