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过去几周，关于英特尔可能重回苹果阵营，为其部分M系列处理器和非Pro版iPhone芯片提供芯片的传闻甚嚣尘上，引发了广泛关注。然而，业内人士的最新观点已基本否定了苹果iPhone芯片采用英特尔尖端工艺的可能性。

最近几周，GF Securities 和DigiTimes都披露，苹果可能会在其预计于 2027 年出货的入门级 M 系列芯片以及 2028 年的非 Pro 版 iPhone 芯片中选择英特尔的 18A-P 工艺。GF Securities 还进一步指出，苹果定制的 ASIC（预计将于 2028 年推出）将采用英特尔的 EMIB 封装。

该报告重申，苹果目前正在评估英特尔的 18A-P 工艺，用于其预计将于 2027 年出货的低端 M 系列芯片。我们最近注意到，苹果已经与英特尔签署了保密协议，并获得了其先进的 18A-P 工艺的 PDK样品用于评估。

有趣的是，该报告还指出，苹果和博通的定制 ASIC 将于 2028 年采用英特尔的 EMIB 封装技术。

早在2024年春季，就有报道称 苹果公司正与博通公司合作开发其首款人工智能服务器芯片，内部代号为“Baltra ”，预计将于2027年正式出货。然而，这家总部位于香港的券商最新发布的报告显示，苹果公司最早也要到2028年才能交付其定制的人工智能服务器芯片。

与此同时，GF Securities此前已公开表示，苹果可能会在其2028年出货的非Pro系列iPhone芯片中采用英特尔的18A-P工艺。值得注意的是，英特尔的18A-P工艺是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的工艺节点，该技术允许通过TSV（硅通孔）堆叠多个芯片。

与此同时，英特尔正准备建立一个专门的ASIC部门，以帮助企业流片定制芯片，以满足其独特的需求和工作负载。

然而，一些业内人士在SemiWiki论坛上发表评论，对英特尔代工苹果iPhone芯片的希望泼了一盆冷水。而这种悲观论调的核心在于，这家芯片制造商错误地决定在其18A和14A制程节点上全面采用背面供电（BSPD）技术。

基本上，与台积电不同，台积电提供一些带有BSPD的节点和一些不带BSPD的节点，以完善其整体产品，而英特尔则在其尖端的18A和14A节点上全面采用了BSPD。

当然，BSPD 的确能带来一些性能提升，因为芯片是通过背面更短、更粗的金属路径供电的，从而降低了电压降，允许更高、更稳定的工作频率，同时释放了正面布线，从而可以提高晶体管密度或减少拥塞和导线长度。

然而，对于移动芯片而言，这种方法带来的性能提升非常有限。而且，这种方法会导致更严重的自热效应（SHE），需要对芯片进行额外的冷却。事实上，所需的散热器必须“在热点区域保持比芯片温度低约 20°C 的温度（因为垂直方向的散热效果不佳，而现在由于没有厚硅衬底，横向散热效果更差），才能在芯片温度保持不变的情况下保持稳定。这在许多依赖空气冷却或有最高允许外壳温度的应用场景中根本无法实现。”。

由于这些令人担忧的散热问题，业内人士认为英特尔近期内“几乎不可能”为苹果生产iPhone芯片，正如Jukan在X的评论中所强调的那样。当然，M系列处理器或许仍有可能。

参考链接

https://wccftech.com/there-is-zero-chance-that-apple-iphone-chips-will-leverage-intels-advanced-nodes-claim-industry-insiders/

（来源：编译自wccftech）