华虹半导体申请半导体结构及其制备方法专利，单独调整二极管的反向击穿电压的同时不影响其他器件
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121985585A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底，包括第一外延层，所述基底包括用于形成二极管的二极管区和用于形成晶体管的晶体管区，所述二极管包括第一体区，所述晶体管包括第二体区；形成第一光刻胶层覆盖所述第一外延层，所述第一光刻胶层的图形化与用于形成第一体区的图形化采用同样的掩膜板形成；以第一光刻胶层为掩膜进行调节注入，所述调节注入的第一离子束与基底表面的法线方向之间具有第一夹角，以单独调节二极管的击穿电压，所述调节注入的离子在晶体管区被第一光刻胶层挡住。通过对集成晶体管和二极管的半导体结构进行调节注入，单独调整二极管的反向击穿电压的同时不影响其他器件。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2942次，专利信息1986条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目920次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可448个。
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来源：市场资讯