北京时代华诺科技申请双向瞬态电压抑制器及其制备方法专利，能够以简单的结构同时兼具低电压和低回路电容的优势_行业新闻

北京时代华诺科技申请双向瞬态电压抑制器及其制备方法专利，能够以简单的结构同时兼具低电压和低回路电容的优势

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2026-05-29 14:46:20

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国家知识产权局信息显示，北京时代华诺科技有限公司申请一项名为“双向瞬态电压抑制器及其制备方法”的专利，公开号CN122094187A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本公开提供了一种双向瞬态电压抑制器及其制备方法，一实施例包括：电隔离的至少一个功能区、第一电极层和第二电极层，功能区包括：自第一导电类型的衬底表面延伸进入衬底的第二导电类型的至少一个第一高掺杂区，至少一个第一高掺杂区间隔设置；覆盖衬底和第一高掺杂区的第二导电类型第一半导体层；自第一半导体层远离衬底的表面延伸进入第一半导体层的第二导电类型的至少一个第二高掺杂区，至少一个第二高掺杂区间隔设置；以及覆盖第二半导体层和第二高掺杂区的第一导电类型的第二半导体层。本公开实施例的双向瞬态电压抑制器能够以简单的结构同时兼具低电压和低回路电容的优势。

天眼查资料显示，北京时代华诺科技有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本162.5万人民币。通过天眼查大数据分析，北京时代华诺科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可5个。

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来源：市场资讯

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