优纳瑞半导体取得一种MOS场效应晶体管专利，降低局部过热的风险
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2025-05-30 21:07:39
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市优纳瑞半导体有限公司取得一项名为“一种MOS场效应晶体管”的专利，授权公告号CN222928732U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请涉及MOS场效应晶体管，涉及半导体技术领域，其包括漏极衬底、有源层以及源极层，所述漏极衬底上形成有外延层，所述外延层内形成有多个间隔开设置的隔离沟槽，所述隔离沟槽的侧壁面的多个部分区域分别朝所述隔离沟槽内凸设，所述隔离沟槽内形成有隔离栅电极；所述有源层形成于所述外延层内，且所述有源层包括位于每个所述隔离沟槽两侧的沟道；所述源极层形成于所述有源层上。本申请一方面可以有效地改变电场分布，使得电场在沟道区域更加均匀分布。这种均匀的电场分布有助于减少局部电场的增强效应，从而降低局部过热的风险；另一方面可以使电子流经沟道的表面积增加，有助于散热，也减少了局部过热的风险。
天眼查资料显示，深圳市优纳瑞半导体有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市优纳瑞半导体有限公司专利信息3条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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