钰创科技申请形成半导体装置结构的方法专利，可有效缩小晶体管的尺寸
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2025-06-11 12:37:20
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，钰创科技股份有限公司申请一项名为“形成半导体装置结构的方法”的专利，公开号CN120129299A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种形成半导体装置结构的方法。所述方法包含准备具有原始表面的半导体基底；以所述半导体基底为基础形成一组主动区和形成两相邻主动区之间的浅沟槽隔离区；在所述两相邻主动区之间的浅沟槽隔离区中形成不对称间隔层，其中所述不对称间隔层中的第一间隔层是氧化层，所述第一间隔层覆盖所述两相邻主动区中的第一主动区的侧壁，以及所述不对称间隔层中的第二间隔层设置在窄沟槽中；形成在所述不对称间隔层之间的第一互连层，其中所述第一互连层是在所述浅沟槽隔离区中和位于所述原始表面之下。因为本发明在所述硅表面下方引入了所述受到良好隔离的互连结构/导线，所以本发明可有效缩小所述晶体管的尺寸和改善所述晶体管的性能。

来源：金融界

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