海威华芯取得一种氧化镓MOSFET沟道型器件专利，提升高功率器件的崩溃电压
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2025-06-12 12:07:02
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金融界2025年6月12日消息，国家知识产权局信息显示，成都海威华芯科技有限公司取得一项名为“一种氧化镓MOSFET沟道型器件”的专利，授权公告号CN222967299U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种氧化镓MOSFET沟道型器件，属于半导体技术领域，包括基板以及设在基板上的氧化镓外延层；所述氧化镓外延层上设有漏极金属层、第一层对准标记层、保护环层、P型高掺层、N型高掺层、源极刻孔层、源极金属接触层、栅极刻孔及栅极氧化层、栅极金属接触层、源栅极第一通孔层、第一连接金属层、源栅极第二通孔层、第二连接金属层以及顶层保护层；其中，所述栅极刻孔及栅极氧化层为棋盘矩阵型结构。该器件外延结构采用超宽禁带半导体材料氧化镓，同时结合栅极的特殊设计，对于高功率器件的崩溃电压有显着的提升。
天眼查资料显示，成都海威华芯科技有限公司，成立于2010年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本195778.86万人民币。通过天眼查大数据分析，成都海威华芯科技有限公司参与招投标项目107次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息371条，此外企业还拥有行政许可44个。
来源：金融界
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